IGBT雙單元節(jié)能中頻電源
全新一代IGBT中頻電源，是一種恒功率輸出電源，在基于德國英飛凌第五代IGBT模塊基礎(chǔ)之上研發(fā)而來，具有跨時代意義，處于國際領(lǐng)先水準(zhǔn)。
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設(shè)備特點
- 全新一代IGBT中頻電源，是一種恒功率輸出電源，在基于德國英飛凌第五代IGBT模塊基礎(chǔ)之上研發(fā)而來，具有跨時代意義，處于國際領(lǐng)先水準(zhǔn)。
- 加少量料即可達(dá)到滿功率輸出，并且始終保持不變，大大提高了融化效率、降低了電耗。
- 對于熔化普通碳素鋼、合金鋼、鑄鋼、有色金屬，尤其熔化壓塊、鐵銷、銅、鋁、不銹鋼等優(yōu)勢更加明顯；具有融化速度快、電耗少、諧波污染低等顯著優(yōu)點。
- 全新一代IGBT中頻電爐，在原基礎(chǔ)上全面升級，模塊單元化控制，采用模塊逐個實時控溫，解決了以往模塊一炸一串的缺陷，運行更為穩(wěn)定，維修費用更低。
優(yōu)勢特點- 模塊損耗率低：線路板和裝配結(jié)構(gòu)大幅優(yōu)化，同時IGBT模塊為可自關(guān)斷大功率器件，關(guān)斷速度快、保護(hù)迅速。因此設(shè)備保護(hù)可靠，穿爐、搭鐵、接地、水冷電纜燒斷都非常不易損壞IGBT模塊，其損壞率遠(yuǎn)低于可控硅中頻電爐。
- 易維護(hù)：在原有老式IGBT基礎(chǔ)上改進(jìn)而來，濾波電容數(shù)量少、IGBT單模塊化裝配，損壞后拆裝更方便，成本更低。
- 節(jié)能：節(jié)省了可控硅串聯(lián)設(shè)備中防止電流上升的空心電感（電損耗很大），自動關(guān)斷時間短，功率因數(shù)明顯提高，達(dá)到0.98以上。比普通可控硅并聯(lián)電爐效率挺高25%以上；比可控硅串聯(lián)電爐提高10%。
- 到15%以上；電耗：IGBT模塊電耗500-550度/噸；可控硅串聯(lián)電耗550-650度/噸；可控硅并聯(lián)電耗700度以上/噸；諧波符合國家標(biāo)準(zhǔn)：功率因數(shù)更高（0.98以上），諧波少，對電網(wǎng)無污染，達(dá)到國家標(biāo)準(zhǔn)。
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